新開発めっき

マイクロエレクトロニクス分野における
微細化及び素材の多様化に対して、
当社におきましては専門技術・研究開発スタッフを配置し、
次世代を担う新しいめっき技術の開発を進め、
お客様の多彩なニーズにお応えするよう日々邁進しています。

粗化工程を用いないエッチングフリーめっき技術
めっき法での各種パッケージング部品用封止用合金皮膜形成技術
ガラス・有機フィルムへの ダイレクトめっき加工

 

粗化工程を用いないエッチングフリーめっき技術


●開発の狙い
1.高機能化  
一般的な湿式工法で用いる粗化工法を用いず、高密着膜を皮膜
→性能向上
2.コストダウン  
安価な湿式工法の採用
→生産効率向上

 

●製品の概要と特徴
【現行品】
ガラス、樹脂などの材料へダイレクトに金属皮膜を形成する場合、従来は粗化処理を用いて強固な接着膜を形成しています。しかしながら、粗化工程を用いますと素材表面を荒らしてしましますので、素材の表面性を特性上維持したい場合は、高価な乾式法を用いています。
【開発品】
当社新技術では、粗化プロセスを用いず、素材表面の平滑性を保ちながら強固な皮膜形成を湿式プロセスにて安価に形成することが可能です。

 

粗化工程を用いないエッチングフリーめっき技術

【接着密度】
粗化工程を用いないエッチングフリーめっき技術
密着性試験機(ROMULUS QUADGROUP社製)
n=5 ソーダガラス使用
基板サイズ6mm×17mm×0.6t、NI0.3μm、Au0.4μm、12.7mml
0.6mmØアルミ製スタットピン使用、エポキシ接着剤150℃、1hr固定後

 

特徴
粗化(エッチング)を使用しないので機基材を傷めず平滑にします。
ITO電極への無電解厚付Auめっき(~1.0μm)可能です。
基材はガラス、ポリイミド、ウエハー、PET等 応相談いたします。
クリーンルーム内でのめっき加工も可能です。

 

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めっき法での各種パッケージング部品用封止用合金皮膜形成技術 


●開発の狙い
1.高機能化
めっき法での薄膜化
→歩留向上
2.コストダウン
均質な皮膜化
→使用量削減

 

●製品の概要と特徴
【現行品】
高温で使用されます電子パッケージ部品の封止材料として、高融点のAuSn、AgSnなどの高価な合金材料ろう材が用いられています。
【開発品】
弊社では、従来製品にくらべ薄く且つ均一にめっき法にて形成することで、低コストで且つ高信頼性の皮膜形成を可能にしました。商品コード:TG-80(Au/Sn)、TS-90(Sn/Ag)
パッケージ封止用AuSn合金めっき加工

 

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ガラス・有機フィルムへの ダイレクトめっき加工 


 

粗化工程を用いないエッチングフリーめっき技術
フィルム基板への
無電解Ni+無電解Auでのパターニング形成例

【工程】

前処理

シード層形成(Ni or Cu)

無電解めっき(Ni、Cu、Ni/Au)

電解めっき

 





特徴
基材は、ガラス系の無機基材から、ポリイミド、PET、PEN、PPA、LCP、ポリカーボネートといった有機基材まで幅広く対応。
当社開発の前処理工程により基材を粗化せず、ナノオーダー(Ra:1nm)での平滑性を維持し且つ高密着な皮膜形成が可能です。

 

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