電子基板への貴金属めっき
当社は、昭和40年に
腕時計用精密プリント基板への金めっき加工を始めて以来、
電子基板用金めっき加工のパイオニアとしまして、
エレクトロニクス製品に貢献してきました。
当社の永年培いました金めっき加工技術を応用しまして、
プリント基板、LTCC基板（セラミック基板）、ポリイミド基板、半導体バンプ等の
導電回路への機能めっき加工を展開しています。
| 基板タイプ | プリント基板 ビルドアップ基板 フレシキブル基板 |
LTCC セラミック基板 |
TAB/COF テープ基板 |
備 考 | ||
| 加工装置 | ラック 全自動 |
ラック 全自動／半自動 |
フープ 全自動 |
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| 加工サイズ （mm） |
510×600 | 200×200 | 材料厚/ 0.025～0.125 材料巾/ 35～165 |
めっき仕様により 条件変更有 |
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| 電 解 |
Ni（厚み：µm） | 光 沢 | O （3～5） |
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| 半 光 沢 | O （3～5） |
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| 無 光 沢 | O （3～5） |
O （2～5） |
O （0.1～10）※1 |
※1 スルファミン酸系を使用しています。 |
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| Au（厚み：µm） | 純 金 | O （0.5） |
O （0.1～） |
O （～1） |
ワイアーボンディング用 Au/Au接合 |
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| 硬 質 | O （0.03～1.0） |
接点用 | ||||
| 無 電 解 |
Ni（厚み：µm） | Ni-P | O （2～5） |
O （2～5） |
中Pタイプ | |
| Au（厚み：µm） | 薄 付 | O （0.03～0.05） |
O （0.03～0.05） |
O | 表面実装用 半田付け用 |
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| 厚 付 | O （0.1～0.5） |
O （0.1～0.8） |
ワイアーボンディング用 Au/Au接合 |
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| パラジウム（厚み：µm） | 無電解 | O （0.1～） |
O （0.1～） |
金めっきと 組み合わせ使用 |
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| 各仕様組合わせでのコンビめっき、部分めっき加工承ります。 | 厚膜印刷基板
（Ag系配線） 専用工程です。 Cu、W等承ります。 |
無電解Snめっき、レジスト印刷加工も承ります。 | ||||
プリント基板／ビルドアップ基板／フレキシル基板用金めっき加工
Auめっき表面外観 |
金めっき剥離後Niめっき表面概観 |
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無電解Auめっき |
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無電解Niめっき |
×1000 |
×1000 |
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無電解NiめっきP濃度 VS ターン数 |
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ボールシェアテスト（Au厚0.5µm） |
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 電解 VS 無電解Auめっき（Ni：5µm、Au：0.5µm） |
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Auワイアープルテスト（Au厚 0.5µm） |
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 電解 VS 無電解Auめっき（Ni：5µm、Au：0.5µm） |
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ファインラインへの無電解金めっき（L/S＝30/30µm） |
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無電解Ni/Pd/Auめっき加工
Pdを挟んだ三層構造にすることで、はんだ接合性、耐熱性において特性向上が図れます。
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 Auワイアープルテスト |
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 ボールシェアテスト |
LTCC基板（セラミック基板）用金めっき加工
| LTCC基板のAg系配線への無電解金めっき加工（下地Niめっき）承ります。 耐熱仕様にて、Ni/Pd/Au3層めっきも可能です。 |
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Au厚付けめっき基板強度特性 |
【めっき仕様】 下地導体 Ag/Pt めっき種類 無電解 Ni/Au めっき厚み Ni＝3µm Au＝0.4µm |
導体はんだ付け強度 エージング温度：150℃ |
Au厚付けめっきワイヤーボンディングテスト |
| ワイヤーボンディングライド： Au厚付けめっき 導体： Ag/Pt めっき： Ni/3µm Au0.4µm（typ.）n＝50 Auワイヤ： 30µmØAu ボンダー： kaijo118CH（フルオートAuワイヤーボンダー） |
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TAB／COF テープ連続電解Ni／Au めっき加工
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【仕様】 材 料 厚：25µ～125µ 材 料 巾：35mm～165mm 基板種類：両面4層可能、各種小型パッケージ HDDサスペンション向けファイン ピッチ製品に対応します。 めっきタイプ：スルファミン酸Ni／99.99％Au めっき厚：Ni 0.1～10µ Au 1µまで対応 注）給電方法はロール方式 |